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考研过程中需要及时而精准的信息，而考试资料是金榜提名的充分条件。选好资料是个技术活儿，我们要仔细甄别，不浪费自己花出去的每一分钟。盛世清北十年来专注清北硕博辅导，为帮助考生少走弯路，整理如下北大824半导体物理相关资料，以供参考。
考情分析
真题解读：
经近几年的历年真题分析，盛世清北老师得出如下结论：
解读：
1、汇丰微电子学与固体电子学专业课历年考试难度大，考题较为灵活，与社会热点关联更深。同时，也关注考生的知识面。
2、报考北大也需要有扎实的基础，并非通过所谓的押题和划重点就能考上的。
历年分数线
解读：
根据近3年分数线及复试情况，盛世清北老师分析如下：
（1）近三年来，各科目分数线趋于平稳状态，而总分数线存在波动，且2022年分数线最高；意味着难度在逐步增加，应更加重视专业课的复习，要早复习，避免走弯路。
（2）三年中，最低分320分，最高分413分。也就是说需要考到320-413分，才有机会进入复试。
（3）录取人数2020年为29人，2021年为25人，2022年为21年，录取人数在减少，竞争越来越激烈。
（4）北大汇丰微电子学与固体电子学硕士的复试录取比例较大，复试会淘汰一部分，要非常重视复试。
考点梳理（仅供参考，可能会随年份变化，可咨询盛世清北老师)
1、半导体晶体结构和半导体的结合性质;
2、半导体中的电子状态：半导体能带的形成，Ge、Si、GaAs能带结构，有效质量、空穴、杂质和缺陷能级;
3、热平衡下半导体载流子的统计分布：状态密度、费米能级、本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应;
4、半导体的导电性：半导体导电原理，载流子的漂移运动、迁移率、散射机构，半导体电阻率(电导率)随温度和杂质浓度的变化规律，强电场效应、热载流子，负阻效应;
5、非平衡载流子：非平衡载流子与准费米能级，非平衡载流子注入与复合，复合理论，非平衡载流子寿命，爱因斯坦关系，载流子漂移、扩散运动，缺陷效应，连续性方程;
6、pn结：平衡与非平衡pn结特点及其能带图，pn结的I-V特性、电容特性、开关特性、击穿特性;
7、 金属和半导体接触：半导体表面态，表面电场效应，金属与半导体接触特性、MIS结构电容-电压特性，
8、半导体异质结：异质结的形成机理、能带图;
9、半导体的光学性质及光电效应：半导体的光吸收，半导体光电导，半导体光生伏特效应，半导体发光及半导体激光器;
10、半导体热电、磁电及压阻效应：半导体热传导及热电效应，半导体的霍耳效应，半导体的压阻效应。
参考书（仅供参考，可能会随年份变化，可咨询盛世清北老师）
半导体物理学（第7版），刘恩科 、朱秉升 、罗晋生，电子工业出版社，2011-03
真题试题
2018北大半导体物理考题回忆
一、名词解释
受主、雪崩击穿、异质结、费米钉扎(还有两个记不清了，历年真题中可以找到)
二、半导体A、B的电导率-温度曲线如下
1.说明A、B半导体的类型，并说明原因
2.A、B分别产生如下曲线的机制是什么
三、题干给出了两种材料(n型Eg较窄，p型Eg较宽)的能带图，画出这两种材料形成异质结后在如下情形的能带图
1.无外加偏压
2.施加反向偏压Va
四、p-mos管(n型衬底)中，Wm，SIO2层厚度及介电常数已知，< p>
SiO2层中存在以密度为常数ρ的电荷分布
1.写出平带电压表达式
2.画出平带时的能带图
五、PN结P型区及N型区均均匀掺杂，浓度为Na，Nd
1.算出施加正向偏压Va时p区边界少子浓度
2.画出正偏时I-V曲线
3. Na，Nd很小时，I-V曲线与理想曲线有什么区别
六、同时在Si中掺入Na，Nd，Na>Nd
1.写出电荷守恒表达式
2.写出低温区Ef与T的关系
3.示意在能带图中画出Ef随T的变化曲线
随着考研热度的提升，考研难度也越来越大，想要考入心仪的院校和专业，就要在激烈的竞争中脱颖而出。而在这背后，则少不了充分的复习和加倍的努力。所以，加油吧，考研人！
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